- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 6473
Historique des publications depuis 10 ans
|
1
|
2
|
4
|
20
|
152
|
682
|
1241
|
1463
|
1473
|
1328
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159029 |
1558 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
727 |
| Nanya Technology Corporation | 2961 |
573 |
| Micron Technology, Inc. | 27793 |
563 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11896 |
534 |
| SK Hynix Inc. | 12667 |
289 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3400 |
229 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48861 |
189 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 403 |
179 |
| Applied Materials, Inc. | 20579 |
164 |
| Cxmt Corporation | 433 |
154 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 469 |
139 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 664 |
128 |
| Winbond Electronics Corp. | 1449 |
126 |
| Kioxia Corporation | 11017 |
120 |
| Intel Corporation | 46292 |
111 |
| Monolithic 3D Inc. | 342 |
55 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 124837 |
42 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Tokyo Electron Limited | 13948 |
35 |
| Autres propriétaires | 516 |