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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 5567
Historique des publications depuis 10 ans
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675
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1181
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1443
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1465
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528
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153357 |
1298 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
713 |
| Nanya Technology Corporation | 2840 |
495 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11657 |
480 |
| Micron Technology, Inc. | 27251 |
458 |
| SK Hynix Inc. | 12108 |
229 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3140 |
179 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47156 |
161 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 357 |
147 |
| Applied Materials, Inc. | 19960 |
135 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 450 |
126 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 659 |
123 |
| Cxmt Corporation | 336 |
115 |
| Winbond Electronics Corp. | 1383 |
107 |
| Intel Corporation | 46633 |
94 |
| Kioxia Corporation | 10703 |
92 |
| Monolithic 3D Inc. | 328 |
54 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 119724 |
38 |
| Tokyo Electron Limited | 13496 |
33 |
| Autres propriétaires | 448 |