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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 5991
Historique des publications depuis 10 ans
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680
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1470
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886
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 156553 |
1430 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4930 |
725 |
| Nanya Technology Corporation | 2892 |
528 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11755 |
505 |
| Micron Technology, Inc. | 27538 |
491 |
| SK Hynix Inc. | 12389 |
262 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3256 |
199 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47999 |
171 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 375 |
161 |
| Applied Materials, Inc. | 20278 |
148 |
| Cxmt Corporation | 411 |
145 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 456 |
130 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 661 |
125 |
| Winbond Electronics Corp. | 1408 |
115 |
| Intel Corporation | 46894 |
107 |
| Kioxia Corporation | 10778 |
99 |
| Monolithic 3D Inc. | 331 |
54 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 122082 |
41 |
| Tokyo Electron Limited | 13709 |
33 |
| Autres propriétaires | 480 |