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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 5026
Historique des publications depuis 10 ans
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660
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1118
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1428
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1464
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93
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 150361 |
1142 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
696 |
| Nanya Technology Corporation | 2705 |
437 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11574 |
432 |
| Micron Technology, Inc. | 26782 |
409 |
| SK Hynix Inc. | 11791 |
193 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3004 |
162 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46375 |
153 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 332 |
136 |
| Applied Materials, Inc. | 19474 |
123 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 658 |
121 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 436 |
115 |
| Cxmt Corporation | 289 |
97 |
| Winbond Electronics Corp. | 1337 |
94 |
| Intel Corporation | 46522 |
83 |
| Kioxia Corporation | 10489 |
73 |
| Monolithic 3D Inc. | 320 |
50 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
42 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 116994 |
33 |
| Tokyo Electron Limited | 13266 |
27 |
| Autres propriétaires | 408 |