- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 41/30
Brevets de cette classe: 284
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42222 |
65 |
| Winbond Electronics Corp. | 1268 |
27 |
| United Microelectronics Corp. | 4232 |
18 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 144426 |
14 |
| Kioxia Corporation | 10282 |
14 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11371 |
13 |
| SK Hynix Inc. | 11253 |
13 |
| Micron Technology, Inc. | 26214 |
12 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 690 |
10 |
| IoTMemory Technology Inc. | 13 |
8 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2587 |
6 |
| International Business Machines Corporation | 61123 |
5 |
| Texas Instruments Incorporated | 19482 |
5 |
| Toshiba Corporation | 12300 |
3 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 946 |
3 |
| Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation | 197 |
3 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 250 |
3 |
| Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation | 184 |
3 |
| Pedisem Co. Ltd. | 13 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 111237 |
2 |
| Autres propriétaires | 54 |