- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 41/30
Brevets de cette classe: 351
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44638 |
79 |
| Winbond Electronics Corp. | 1319 |
33 |
| United Microelectronics Corp. | 4275 |
22 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148584 |
16 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 696 |
16 |
| Micron Technology, Inc. | 26365 |
15 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11507 |
15 |
| SK Hynix Inc. | 11586 |
15 |
| Kioxia Corporation | 10453 |
15 |
| IoTMemory Technology Inc. | 13 |
8 |
| Texas Instruments Incorporated | 19481 |
7 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2873 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 61651 |
5 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4894 |
5 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1080 |
5 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 954 |
4 |
| Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation | 203 |
4 |
| Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation | 202 |
4 |
| Hua Hong Semiconductor (Wuxi) Limited | 33 |
4 |
| Toshiba Corporation | 12523 |
3 |
| Autres propriétaires | 69 |