- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 41/30
Brevets de cette classe: 401
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46613 |
85 |
| Winbond Electronics Corp. | 1354 |
39 |
| United Microelectronics Corp. | 4394 |
27 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151485 |
20 |
| Micron Technology, Inc. | 27165 |
20 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11608 |
18 |
| SK Hynix Inc. | 11912 |
17 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 704 |
17 |
| Kioxia Corporation | 10521 |
15 |
| IoTMemory Technology Inc. | 14 |
9 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5271 |
8 |
| Texas Instruments Incorporated | 19542 |
7 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3056 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 61929 |
5 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 958 |
5 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1152 |
5 |
| Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation | 207 |
4 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 213 |
4 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
4 |
| Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation | 208 |
4 |
| Autres propriétaires | 81 |