- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/40 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/40
Brevets de cette classe: 514
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152016 |
181 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3074 |
62 |
| SK Hynix Inc. | 11969 |
54 |
| Monolithic 3D Inc. | 326 |
36 |
| Micron Technology, Inc. | 27215 |
32 |
| Kioxia Corporation | 10555 |
31 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46735 |
19 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5286 |
18 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1157 |
13 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2525 |
6 |
| Winbond Electronics Corp. | 1363 |
6 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 351 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 4410 |
4 |
| Schottky Lsi, Inc. | 22 |
4 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 708 |
4 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11617 |
3 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 958 |
3 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 262 |
3 |
| Renesas Electronics Corporation | 5887 |
2 |
| Autres propriétaires | 24 |