- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/49 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire comprenant différents types de transistors périphériques
Détention brevets de la classe H10B 41/49
Brevets de cette classe: 25
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
3
|
6
|
6
|
6
|
3
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
10 |
| Schottky Lsi, Inc. | 22 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
2 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 1778 |
2 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 699 |
2 |
| Winbond Electronics Corp. | 1274 |
2 |
| Texas Instruments Incorporated | 19448 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 18706 |
1 |
| Infineon Technologies LLC | 538 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |