- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/49 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire comprenant différents types de transistors périphériques
Détention brevets de la classe H10B 41/49
Brevets de cette classe: 33
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
12 |
| Schottky Lsi, Inc. | 22 |
4 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 734 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
2 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 961 |
2 |
| Winbond Electronics Corp. | 1433 |
2 |
| Infineon Technologies LLC | 512 |
2 |
| Texas Instruments Incorporated | 19672 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 20375 |
1 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 640 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3306 |
1 |
| Kioxia Corporation | 10815 |
1 |
| SK Keyfoundry Inc. | 256 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |