- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 43/40
Brevets de cette classe: 1467
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152914 |
561 |
| SK Hynix Inc. | 12070 |
177 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3119 |
168 |
| Kioxia Corporation | 10701 |
168 |
| Micron Technology, Inc. | 27253 |
104 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5340 |
44 |
| Monolithic 3D Inc. | 328 |
39 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1166 |
35 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47015 |
28 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2520 |
20 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11649 |
15 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
11 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
11 |
| Besang, Inc. | 16 |
8 |
| Intel NDTM US LLC | 451 |
7 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1513 |
6 |
| Winbond Electronics Corp. | 1376 |
5 |
| Sandisk Technologies LLC | 1449 |
4 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 261 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 5872 |
3 |
| Autres propriétaires | 49 |