- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/40 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 43/40
Brevets de cette classe: 1597
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
616 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
205 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3301 |
181 |
| Kioxia Corporation | 10805 |
178 |
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
114 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5432 |
45 |
| Monolithic 3D Inc. | 332 |
39 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1203 |
35 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
30 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2496 |
22 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11797 |
16 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
13 |
| Sunrise Memory Corporation | 216 |
12 |
| Besang, Inc. | 16 |
8 |
| Intel NDTM US LLC | 459 |
8 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1652 |
6 |
| Winbond Electronics Corp. | 1425 |
5 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4664 |
4 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
4 |
| Infineon Technologies LLC | 513 |
4 |
| Autres propriétaires | 52 |