- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/40 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 51/40
Brevets de cette classe: 131
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47211 |
58 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153573 |
32 |
| Micron Technology, Inc. | 27266 |
6 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5369 |
5 |
| Kepler Computing Inc. | 323 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 5871 |
3 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
3 |
| Intel Corporation | 46638 |
2 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2523 |
2 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
2 |
| Seoul National University R&db Foundation | 3987 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3144 |
2 |
| Kioxia Corporation | 10706 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11670 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 12134 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4559 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6398 |
1 |
| Industry-university Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | 621 |
1 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1422 |
1 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 81 |
1 |
| Autres propriétaires | 1 |