- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/10 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 53/10
Brevets de cette classe: 129
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
29 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
23 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
16 |
| Kepler Computing Inc. | 328 |
9 |
| Intel Corporation | 47106 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11821 |
7 |
| Kioxia Corporation | 10815 |
5 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123385 |
3 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5438 |
3 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11577 |
3 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3306 |
3 |
| The Regents of the University of California | 20745 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 13807 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 12486 |
2 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6387 |
2 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1656 |
2 |
| TetraMem Inc. | 182 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4664 |
1 |
| IMEC VZW | 1812 |
1 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 71 |
1 |
| Autres propriétaires | 6 |