- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 53/20
Brevets de cette classe: 282
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27709 |
53 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158337 |
40 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48539 |
34 |
| Kepler Computing Inc. | 330 |
30 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11854 |
26 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123867 |
16 |
| Intel Corporation | 47069 |
12 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3349 |
12 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
8 |
| Kioxia Corporation | 10854 |
8 |
| SK Hynix Inc. | 12567 |
4 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4686 |
4 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1671 |
4 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5461 |
3 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 391 |
3 |
| IMEC VZW | 1823 |
2 |
| Peking University | 1463 |
2 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11680 |
2 |
| Adeia Semiconductor Inc. | 103 |
2 |
| Cxmt Corporation | 423 |
2 |
| Autres propriétaires | 15 |