- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 53/20
Brevets de cette classe: 130
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 25728 |
36 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138320 |
16 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40493 |
16 |
| Kepler Computing Inc. | 266 |
16 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11042 |
9 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 106382 |
8 |
| Monolithic 3D Inc. | 299 |
5 |
| Intel Corporation | 46091 |
4 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2298 |
4 |
| Kioxia Corporation | 10112 |
4 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4174 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 12067 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 10743 |
1 |
| Ajou University Industry-academic Cooperation Foundation | 968 |
1 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1339 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1262 |
1 |
| Peking University | 1232 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 9635 |
1 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 393 |
1 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 23 |
1 |
| Autres propriétaires | 1 |