- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 53/30
Brevets de cette classe: 722
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
149 |
| Kepler Computing Inc. | 328 |
86 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11834 |
81 |
| Micron Technology, Inc. | 27675 |
76 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
61 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123543 |
28 |
| Intel Corporation | 47122 |
24 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 93 |
18 |
| SK Hynix Inc. | 12506 |
13 |
| Tokyo Electron Limited | 13824 |
11 |
| TetraMem Inc. | 182 |
10 |
| International Business Machines Corporation | 62671 |
8 |
| IMEC VZW | 1816 |
8 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3323 |
8 |
| Peking University | 1461 |
6 |
| Wuxi Smart Memories Technologies Co., Ltd. | 23 |
6 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11124 |
5 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11613 |
5 |
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 905 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 4496 |
4 |
| Autres propriétaires | 110 |