- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 53/30
Brevets de cette classe: 486
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42222 |
101 |
| Kepler Computing Inc. | 298 |
74 |
| Micron Technology, Inc. | 26214 |
64 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11371 |
52 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 144426 |
35 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 111237 |
19 |
| Intel Corporation | 46751 |
10 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 73 |
10 |
| Tokyo Electron Limited | 12571 |
6 |
| SK Hynix Inc. | 11253 |
6 |
| IMEC VZW | 1610 |
6 |
| Wuxi Smart Memories Technologies Co., Ltd. | 20 |
5 |
| International Business Machines Corporation | 61123 |
4 |
| United Microelectronics Corp. | 4232 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10879 |
4 |
| Peking University | 1294 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10315 |
4 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2587 |
4 |
| Texas Instruments Incorporated | 19482 |
3 |
| Hyundai Motor Company | 21748 |
3 |
| Autres propriétaires | 68 |