- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
Détention brevets de la classe H10D 12/00
Brevets de cette classe: 321
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
6
|
26
|
49
|
22
|
183
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5235 |
80 |
| Rohm Co., Ltd. | 6536 |
43 |
| Toshiba Corporation | 12521 |
23 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2084 |
22 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 212 |
21 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46765 |
16 |
| Denso Corporation | 24692 |
15 |
| Infineon Technologies AG | 8274 |
13 |
| Renesas Electronics Corporation | 5946 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2208 |
4 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5282 |
4 |
| Flosfia Inc. | 237 |
4 |
| The Ritsumeikan Trust | 165 |
4 |
| Wolfspeed, Inc. | 762 |
4 |
| Patentix Inc. | 7 |
4 |
| Sanken Electric Co., Ltd. | 453 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 115187 |
2 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3334 |
2 |
| University of Electronic Science and Technology of China | 423 |
2 |
| Suzhou Oriental Semiconductor Co., Ltd. | 103 |
2 |
| Autres propriétaires | 46 |