- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
Détention brevets de la classe H10D 12/00
Brevets de cette classe: 581
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5373 |
133 |
| Rohm Co., Ltd. | 6727 |
67 |
| Toshiba Corporation | 12698 |
54 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47522 |
54 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2264 |
51 |
| Denso Corporation | 25132 |
26 |
| Infineon Technologies AG | 8380 |
22 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 216 |
21 |
| Renesas Electronics Corporation | 5873 |
17 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2289 |
10 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2449 |
10 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 119637 |
5 |
| Flosfia Inc. | 239 |
5 |
| Wolfspeed, Inc. | 856 |
5 |
| Patentix Inc. | 9 |
5 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5265 |
4 |
| The Ritsumeikan Trust | 170 |
4 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47071 |
3 |
| Sanken Electric Co., Ltd. | 457 |
3 |
| Suzhou Oriental Semiconductor Co., Ltd. | 104 |
3 |
| Autres propriétaires | 79 |