- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 12/00 - Dispositifs bipolaires contrôlés par effet de champ, p. ex. transistors bipolaires à grille isolée [IGBT]
Détention brevets de la classe H10D 12/00
Brevets de cette classe: 837
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5511 |
186 |
| Rohm Co., Ltd. | 6877 |
98 |
| Toshiba Corporation | 12594 |
80 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48172 |
75 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2339 |
75 |
| Denso Corporation | 25645 |
44 |
| Infineon Technologies AG | 8410 |
30 |
| Renesas Electronics Corporation | 5862 |
28 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 227 |
28 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2345 |
13 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2610 |
12 |
| Wolfspeed, Inc. | 904 |
8 |
| Patentix Inc. | 15 |
8 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 124115 |
6 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5253 |
6 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
5 |
| Flosfia Inc. | 241 |
5 |
| Texas Instruments Incorporated | 19640 |
4 |
| Csmc Technologies Fab2 Co., Ltd. | 747 |
4 |
| The Ritsumeikan Trust | 179 |
4 |
| Autres propriétaires | 118 |