- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/43 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à une dimension, p. ex. transistors FET à fil quantique ou transistors ayant des canaux à confinement quantique à une dimension
Détention brevets de la classe H10D 30/43
Brevets de cette classe: 782
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47211 |
392 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153573 |
165 |
| International Business Machines Corporation | 62182 |
64 |
| Intel Corporation | 46638 |
20 |
| Socionext Inc. | 1589 |
11 |
| IMEC VZW | 1749 |
11 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1422 |
11 |
| Applied Materials, Inc. | 19999 |
8 |
| Tokyo Electron Limited | 13513 |
8 |
| Qualcomm Incorporated | 90109 |
7 |
| IBM United Kingdom Limited | 4102 |
7 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 757 |
6 |
| SK Hynix Inc. | 12134 |
5 |
| National Taiwan University | 1300 |
5 |
| Apple Inc. | 58049 |
4 |
| National Yang Ming Chiao Tung University | 367 |
4 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1743 |
3 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
3 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10993 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4559 |
2 |
| Autres propriétaires | 44 |