- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/43 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à une dimension, p. ex. transistors FET à fil quantique ou transistors ayant des canaux à confinement quantique à une dimension
Détention brevets de la classe H10D 30/43
Brevets de cette classe: 77
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42549 |
17 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 145630 |
15 |
International Business Machines Corporation | 61198 |
11 |
Intel Corporation | 46960 |
4 |
IBM United Kingdom Limited | 4357 |
4 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1382 |
4 |
Qualcomm Incorporated | 85094 |
3 |
Socionext Inc. | 1548 |
3 |
Adeia Semiconductor Solutions LLC | 290 |
3 |
Tokyo Electron Limited | 12681 |
2 |
IMEC VZW | 1638 |
2 |
Huawei Technologies Co., Ltd. | 112134 |
1 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10928 |
1 |
National Taiwan University | 1218 |
1 |
Atomera Incorporated | 224 |
1 |
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1033 |
1 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1770 |
1 |
Hpsp Co., Ltd. | 56 |
1 |
POSTECH Research and Business Development Foundation | 815 |
1 |
Sony Group Corporation | 13751 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |