- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 64/01 - Fabrication ou traitement
Détention brevets de la classe H10D 64/01
Brevets de cette classe: 3176
Historique des publications depuis 10 ans
|
1
|
0
|
1
|
10
|
16
|
190
|
643
|
693
|
1029
|
517
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
1696 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
244 |
| International Business Machines Corporation | 62621 |
129 |
| Intel Corporation | 47102 |
98 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
77 |
| BorgWarner US Technologies LLC | 432 |
36 |
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
34 |
| Nanya Technology Corporation | 2900 |
33 |
| Applied Materials, Inc. | 20363 |
32 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
28 |
| Renesas Electronics Corporation | 5879 |
27 |
| Tokyo Electron Limited | 13796 |
24 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1459 |
21 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6391 |
20 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 760 |
20 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
18 |
| Toshiba Corporation | 12548 |
17 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1735 |
17 |
| NXP USA, Inc. | 4394 |
17 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3301 |
16 |
| Autres propriétaires | 572 |