- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
Détention brevets de la classe H10D 84/03
Brevets de cette classe: 2808
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
1720 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
204 |
| International Business Machines Corporation | 62621 |
178 |
| Intel Corporation | 47102 |
120 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
44 |
| Tokyo Electron Limited | 13796 |
34 |
| Applied Materials, Inc. | 20363 |
28 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11797 |
24 |
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
22 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 760 |
19 |
| Qualcomm Incorporated | 91997 |
17 |
| Texas Instruments Incorporated | 19663 |
17 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6391 |
16 |
| National Taiwan University | 1324 |
14 |
| IMEC VZW | 1806 |
14 |
| Nanya Technology Corporation | 2900 |
11 |
| Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation | 236 |
11 |
| Monolithic 3D Inc. | 332 |
10 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1735 |
10 |
| IBM United Kingdom Limited | 4079 |
9 |
| Autres propriétaires | 286 |