- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
Détention brevets de la classe H10D 84/03
Brevets de cette classe: 2219
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46877 |
1406 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152534 |
151 |
| International Business Machines Corporation | 62076 |
124 |
| Intel Corporation | 46625 |
87 |
| United Microelectronics Corp. | 4418 |
31 |
| Tokyo Electron Limited | 13459 |
27 |
| Micron Technology, Inc. | 27235 |
22 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11643 |
22 |
| Applied Materials, Inc. | 19863 |
19 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 757 |
14 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6401 |
13 |
| Texas Instruments Incorporated | 19587 |
12 |
| Qualcomm Incorporated | 89428 |
11 |
| National Taiwan University | 1291 |
10 |
| Monolithic 3D Inc. | 328 |
10 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1416 |
9 |
| Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation | 220 |
9 |
| IMEC VZW | 1728 |
8 |
| Nanya Technology Corporation | 2797 |
8 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4925 |
8 |
| Autres propriétaires | 218 |