- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/225 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p. ex. photodiodes à avalanche
Détention brevets de la classe H10F 30/225
Brevets de cette classe: 267
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11543 |
28 |
| Canon Inc. | 43707 |
23 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4663 |
12 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48214 |
10 |
| LG Innotek Co., Ltd. | 8427 |
8 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 846 |
7 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47943 |
6 |
| Atomera Incorporated | 265 |
6 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157300 |
5 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16303 |
5 |
| Artilux Inc. | 155 |
5 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 632 |
4 |
| STMicroelectronics (Research & Development) Limited | 391 |
4 |
| Toshiba Corporation | 12551 |
3 |
| SK Hynix Inc. | 12443 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 122871 |
3 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5272 |
3 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3384 |
3 |
| Pixart Imaging Inc. | 1724 |
3 |
| The Research Foundation for The State University of New York | 1731 |
3 |
| Autres propriétaires | 123 |