- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 39/18 - Capteurs d’images à semi-conducteurs d’oxyde de métal complémentaire [CMOS]Capteurs d’images à matrice de photodiodes
Détention brevets de la classe H10F 39/18
Brevets de cette classe: 1465
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11613 |
356 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
221 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
199 |
| Canon Inc. | 43869 |
68 |
| OmniVision Technologies, Inc. | 1596 |
46 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 34035 |
38 |
| SK Hynix Inc. | 12506 |
29 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11834 |
19 |
| Nikon Corporation | 7226 |
17 |
| Sony Group Corporation | 15697 |
17 |
| Japan Display Inc. | 3003 |
15 |
| FUJIFILM Corporation | 30516 |
14 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4686 |
14 |
| VisEra Technologies Company Limited | 269 |
14 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 44074 |
12 |
| Magnolia White Corporation | 5579 |
12 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5263 |
11 |
| Apple Inc. | 58885 |
9 |
| Beijing BOE Sensor Technology Co., Ltd. | 486 |
9 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 627 |
8 |
| Autres propriétaires | 337 |