- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 39/18 - Capteurs d’images à semi-conducteurs d’oxyde de métal complémentaire [CMOS]Capteurs d’images à matrice de photodiodes
Détention brevets de la classe H10F 39/18
Brevets de cette classe: 1734
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 12049 |
438 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159978 |
271 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49677 |
241 |
| Canon Inc. | 44686 |
76 |
| OmniVision Technologies, Inc. | 1614 |
56 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 34724 |
40 |
| SK Hynix Inc. | 12798 |
34 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11940 |
22 |
| Nikon Corporation | 7227 |
22 |
| Sony Group Corporation | 16305 |
20 |
| FUJIFILM Corporation | 30866 |
18 |
| VisEra Technologies Company Limited | 274 |
17 |
| Japan Display Inc. | 3071 |
15 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5262 |
14 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4739 |
14 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 44802 |
14 |
| Magnolia White Corporation | 5610 |
14 |
| Apple Inc. | 59562 |
10 |
| Beijing BOE Sensor Technology Co., Ltd. | 496 |
10 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11137 |
8 |
| Autres propriétaires | 380 |