- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliquesrevêtement de matériaux avec des matériaux métalliquestraitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitutionrevêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/453 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement en faisant passer les gaz de réaction à travers des brûleurs ou des torches, p. ex. CVD sous pression atmosphérique
Détention brevets de la classe C23C 16/453
Brevets de cette classe: 98
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Pilkington Group Limited | 780 |
9 |
| Applied Materials, Inc. | 20036 |
4 |
| Guardian Industries Corp. | 305 |
4 |
| The Boeing Company | 20097 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 13523 |
3 |
| POSCO Co., Ltd. | 1658 |
3 |
| Toshiba Corporation | 12691 |
2 |
| Advanced Energy Industries, Inc. | 471 |
2 |
| Arkema Inc. | 1056 |
2 |
| Gebr. Schmid GmbH & Co. | 64 |
2 |
| Innovent e.V. | 11 |
2 |
| Lyten, Inc. | 344 |
2 |
| Novelis Inc. | 767 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153845 |
1 |
| General Electric Company | 13831 |
1 |
| Merck Patent GmbH | 5668 |
1 |
| FUJIFILM Corporation | 30244 |
1 |
| Infineon Technologies AG | 8377 |
1 |
| Seagate Technology LLC | 3994 |
1 |
| Lam Research Corporation | 5528 |
1 |
| Autres propriétaires | 51 |