- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/28 - Commande ou régulation
Détention brevets de la classe C30B 13/28
Brevets de cette classe: 45
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3760 |
8 |
| Siltronic AG | 411 |
6 |
| ZHEJIANG JINGSHENG M & e CO., LTD | 26 |
3 |
| Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1522 |
2 |
| Sumco Corporation | 1123 |
2 |
| Tianjin Huanou Semiconductor Material Technology Co., Ltd | 2 |
2 |
| Resonest Corporation | 4 |
2 |
| General Electric Company | 17793 |
1 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1245 |
1 |
| Massachusetts Institute of Technology | 9932 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10706 |
1 |
| Carnegie Mellon University | 1485 |
1 |
| Crystal Systems Corporation | 17 |
1 |
| CTG Advanced Materials, LLC | 2 |
1 |
| Ewha University-industry Collaboration Foundation | 685 |
1 |
| Forschungsverbund Berlin e.V. | 195 |
1 |
| Hellma Materials GmbH & Co. KG | 18 |
1 |
| Korea Basic Science Institute | 312 |
1 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1293 |
1 |
| Soitec | 962 |
1 |
| Autres propriétaires | 7 |