- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 29/40 - Composés AIII BV
Détention brevets de la classe C30B 29/40
Brevets de cette classe: 1511
Historique des publications depuis 10 ans
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116
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105
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123
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0
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| NGK Insulators, Ltd. | 4782 |
67 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4430 |
65 |
| SLT Technologies, Inc. | 128 |
50 |
| Crystal IS, Inc. | 125 |
47 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14914 |
45 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 8966 |
40 |
| Sixpoint Materials, Inc. | 59 |
33 |
| Seoul Semiconductor Co., Ltd. | 1065 |
30 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10667 |
27 |
| Soitec | 951 |
26 |
| The Regents of the University of California | 19479 |
25 |
| QROMIS, Inc. | 87 |
24 |
| Freiberger Compound Materials GmbH | 61 |
23 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138320 |
22 |
| The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation | 124 |
22 |
| JX Nippon Mining & Metals Corporation | 1527 |
21 |
| Tokuyama Corporation | 1339 |
20 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1285 |
18 |
| Osaka University | 3288 |
17 |
| Toyoda Gosei Co., Ltd. | 1742 |
16 |
| Autres propriétaires | 873 |