- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 31/22 - Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire par implantation d'ions
Détention brevets de la classe C30B 31/22
Brevets de cette classe: 126
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 6143 |
10 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16368 |
7 |
| Element Six Technologies Limited | 207 |
6 |
| North Carolina State University | 1599 |
6 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1305 |
6 |
| Soitec | 1119 |
6 |
| Apple Inc. | 59241 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11130 |
4 |
| Kwansei Gakuin Educational Foundation | 226 |
4 |
| Wolfspeed, Inc. | 911 |
4 |
| Infineon Technologies AG | 8419 |
3 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 8965 |
3 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5533 |
3 |
| National Institute of Information and Communications Technology | 671 |
3 |
| Tamura Corporation | 360 |
3 |
| Applied Materials, Inc. | 20579 |
2 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2359 |
2 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48351 |
2 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 15913 |
2 |
| Universitat Leipzig | 109 |
2 |
| Autres propriétaires | 44 |