- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 33/12 - Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma
Détention brevets de la classe C30B 33/12
Brevets de cette classe: 176
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kwansei Gakuin Educational Foundation | 225 |
24 |
| Toyota Tsusho Corporation | 191 |
16 |
| Applied Materials, Inc. | 20438 |
15 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16396 |
11 |
| Toyo Tanso Co., Ltd. | 218 |
9 |
| ASM IP Holding B.V. | 2409 |
7 |
| Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (epfl) | 1612 |
5 |
| Denso Corporation | 25607 |
4 |
| Element Six Technologies Limited | 207 |
4 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48490 |
3 |
| Nichia Corporation | 3876 |
3 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1309 |
3 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 11042 |
2 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 34080 |
2 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 6113 |
2 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5241 |
2 |
| Board of Trustees of Michigan State University | 1214 |
2 |
| Mainstream Engineering Corporation | 156 |
2 |
| Universitat Basel | 315 |
2 |
| Universitat des Saarlandes | 152 |
2 |
| Autres propriétaires | 56 |