- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 33/12 - Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma
Détention brevets de la classe C30B 33/12
Brevets de cette classe: 168
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kwansei Gakuin Educational Foundation | 218 |
24 |
| Toyota Tsusho Corporation | 181 |
16 |
| Applied Materials, Inc. | 19173 |
12 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15732 |
11 |
| Toyo Tanso Co., Ltd. | 220 |
9 |
| ASM IP Holding B.V. | 2146 |
7 |
| Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (epfl) | 1563 |
5 |
| Denso Corporation | 24729 |
4 |
| Nichia Corporation | 3764 |
3 |
| Element Six Technologies Limited | 200 |
3 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1297 |
3 |
| Universitat Basel | 305 |
3 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10645 |
2 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 45590 |
2 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 32296 |
2 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5134 |
2 |
| Board of Trustees of Michigan State University | 1199 |
2 |
| Mainstream Engineering Corporation | 153 |
2 |
| Universitat des Saarlandes | 152 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148765 |
1 |
| Autres propriétaires | 53 |