- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 16/28 - Circuits de détection ou de lectureCircuits de sortie de données utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p. ex. des cellules factices
Détention brevets de la classe G11C 16/28
Brevets de cette classe: 971
Historique des publications depuis 10 ans
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86
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113
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95
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95
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63
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56
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48
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53
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50
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12
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27215 |
111 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152016 |
95 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5286 |
91 |
| SK Hynix Inc. | 11969 |
81 |
| Kioxia Corporation | 10555 |
60 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 708 |
54 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3074 |
34 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2525 |
25 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46735 |
21 |
| Seagate Technology LLC | 3985 |
21 |
| eMemory Technology Inc. | 402 |
21 |
| Winbond Electronics Corp. | 1363 |
20 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
18 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
17 |
| Sandisk Technologies LLC | 1453 |
16 |
| Renesas Electronics Corporation | 5887 |
15 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3409 |
13 |
| Infineon Technologies LLC | 526 |
12 |
| MOSAID Technologies Incorporated | 488 |
11 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11617 |
10 |
| Autres propriétaires | 225 |