- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
Détention brevets de la classe H01L 29/792
Brevets de cette classe: 3276
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10512 |
374 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151017 |
360 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11583 |
294 |
| Micron Technology, Inc. | 27174 |
216 |
| Renesas Electronics Corporation | 5903 |
167 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46507 |
158 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5176 |
147 |
| SK Hynix Inc. | 11871 |
143 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2529 |
108 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 264 |
95 |
| United Microelectronics Corp. | 4369 |
65 |
| Sandisk Technologies LLC | 1455 |
58 |
| Infineon Technologies LLC | 527 |
55 |
| Monolithic 3D Inc. | 324 |
52 |
| Tokyo Electron Limited | 13336 |
44 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
40 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3035 |
37 |
| Floadia Corporation | 81 |
34 |
| Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6223 |
32 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 658 |
26 |
| Autres propriétaires | 771 |