- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
Détention brevets de la classe H01L 29/792
Brevets de cette classe: 3402
Historique des publications depuis 10 ans
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151
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18
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10245 |
378 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 141620 |
366 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11212 |
297 |
| Micron Technology, Inc. | 26070 |
239 |
| Renesas Electronics Corporation | 6127 |
171 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41443 |
163 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4895 |
147 |
| SK Hynix Inc. | 11025 |
143 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2571 |
115 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 282 |
96 |
| United Microelectronics Corp. | 4175 |
68 |
| Sandisk Technologies LLC | 1452 |
58 |
| Infineon Technologies LLC | 560 |
55 |
| Monolithic 3D Inc. | 304 |
52 |
| Tokyo Electron Limited | 12300 |
45 |
| Sunrise Memory Corporation | 210 |
43 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2488 |
41 |
| Floadia Corporation | 77 |
34 |
| Spansion LLC | 330 |
32 |
| Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6281 |
32 |
| Autres propriétaires | 827 |