- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
Détention brevets de la classe H01L 29/792
Brevets de cette classe: 3232
Historique des publications depuis 10 ans
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4
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10805 |
375 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
356 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11797 |
293 |
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
211 |
| Renesas Electronics Corporation | 5879 |
164 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
155 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5432 |
148 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
141 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2496 |
104 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
95 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
65 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
58 |
| Infineon Technologies LLC | 513 |
56 |
| Monolithic 3D Inc. | 332 |
51 |
| Tokyo Electron Limited | 13796 |
42 |
| Sunrise Memory Corporation | 216 |
39 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3301 |
35 |
| Floadia Corporation | 80 |
33 |
| Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6181 |
32 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 663 |
26 |
| Autres propriétaires | 753 |