- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/35
Brevets de cette classe: 1562
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152016 |
318 |
| Micron Technology, Inc. | 27215 |
256 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3074 |
172 |
| Kioxia Corporation | 10555 |
155 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5286 |
141 |
| SK Hynix Inc. | 11969 |
93 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46735 |
70 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1157 |
67 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2525 |
26 |
| Applied Materials, Inc. | 19802 |
22 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
22 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11617 |
18 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 958 |
15 |
| Sandisk Technologies LLC | 1453 |
15 |
| eMemory Technology Inc. | 402 |
15 |
| Intel NDTM US LLC | 451 |
12 |
| United Microelectronics Corp. | 4410 |
9 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3665 |
9 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
8 |
| iCometrue Company Limited | 94 |
8 |
| Autres propriétaires | 111 |