- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/35
Brevets de cette classe: 1649
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 154120 |
337 |
| Micron Technology, Inc. | 27310 |
269 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3172 |
185 |
| Kioxia Corporation | 10709 |
165 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5375 |
147 |
| SK Hynix Inc. | 12171 |
98 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47419 |
72 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1182 |
68 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2518 |
26 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2697 |
23 |
| Applied Materials, Inc. | 20053 |
22 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11688 |
19 |
| eMemory Technology Inc. | 401 |
17 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 961 |
15 |
| Intel NDTM US LLC | 453 |
13 |
| Sandisk Technologies LLC | 1426 |
12 |
| United Microelectronics Corp. | 4452 |
11 |
| Winbond Electronics Corp. | 1390 |
10 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3774 |
9 |
| iCometrue Company Limited | 98 |
9 |
| Autres propriétaires | 122 |