- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/35
Brevets de cette classe: 1782
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158442 |
366 |
| Micron Technology, Inc. | 27636 |
294 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3357 |
199 |
| Kioxia Corporation | 10856 |
179 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5466 |
160 |
| SK Hynix Inc. | 12582 |
114 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
72 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1207 |
68 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2493 |
26 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
23 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11855 |
22 |
| Applied Materials, Inc. | 20467 |
22 |
| eMemory Technology Inc. | 410 |
20 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 962 |
15 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
15 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
12 |
| United Microelectronics Corp. | 4502 |
11 |
| STMicroelectronics International N.V. | 4217 |
11 |
| Winbond Electronics Corp. | 1443 |
10 |
| iCometrue Company Limited | 101 |
9 |
| Autres propriétaires | 134 |