- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/41 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/41
Brevets de cette classe: 533
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148173 |
188 |
| SK Hynix Inc. | 11558 |
69 |
| Micron Technology, Inc. | 26317 |
62 |
| Kioxia Corporation | 10440 |
48 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2831 |
39 |
| Monolithic 3D Inc. | 312 |
30 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1072 |
22 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4892 |
15 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44282 |
10 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2549 |
7 |
| Intel NDTM US LLC | 449 |
6 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2619 |
5 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11485 |
4 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1437 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 13013 |
2 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 953 |
2 |
| Besang, Inc. | 17 |
2 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 691 |
2 |
| Infineon Technologies LLC | 528 |
2 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10611 |
1 |
| Autres propriétaires | 14 |