- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 43/10
Brevets de cette classe: 1587
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147622 |
380 |
| Kioxia Corporation | 10441 |
269 |
| SK Hynix Inc. | 11484 |
189 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2739 |
157 |
| Micron Technology, Inc. | 26210 |
151 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4830 |
147 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43400 |
45 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2552 |
43 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1055 |
42 |
| Sandisk Technologies LLC | 1464 |
27 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2556 |
19 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
18 |
| Monolithic 3D Inc. | 308 |
13 |
| Applied Materials, Inc. | 18892 |
11 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11481 |
9 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1389 |
6 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1425 |
6 |
| Intel Corporation | 47129 |
4 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1803 |
4 |
| eMemory Technology Inc. | 394 |
4 |
| Autres propriétaires | 43 |