- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 43/10
Brevets de cette classe: 2240
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
525 |
| Kioxia Corporation | 10805 |
355 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
286 |
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
254 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3301 |
231 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5432 |
227 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
59 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1203 |
53 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2496 |
48 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
27 |
| Sunrise Memory Corporation | 216 |
22 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
19 |
| Monolithic 3D Inc. | 332 |
16 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11797 |
11 |
| Applied Materials, Inc. | 20363 |
11 |
| Winbond Electronics Corp. | 1425 |
10 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1459 |
8 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1652 |
7 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 70 |
6 |
| Intel Corporation | 47102 |
5 |
| Autres propriétaires | 60 |