- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 43/35
Brevets de cette classe: 2105
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152304 |
471 |
| Kioxia Corporation | 10586 |
321 |
| Micron Technology, Inc. | 27221 |
289 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3083 |
281 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5307 |
185 |
| SK Hynix Inc. | 11996 |
141 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1160 |
79 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46813 |
38 |
| Applied Materials, Inc. | 19849 |
37 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2523 |
33 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
31 |
| Sandisk Technologies LLC | 1453 |
28 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11631 |
17 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1510 |
13 |
| Intel NDTM US LLC | 451 |
11 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
9 |
| Monolithic 3D Inc. | 328 |
7 |
| Winbond Electronics Corp. | 1367 |
7 |
| United Microelectronics Corp. | 4419 |
6 |
| Besang, Inc. | 16 |
6 |
| Autres propriétaires | 95 |