- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 43/35
Brevets de cette classe: 2463
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
2
|
13
|
158
|
367
|
406
|
580
|
499
|
436
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158442 |
555 |
| Kioxia Corporation | 10856 |
370 |
| Micron Technology, Inc. | 27636 |
347 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3357 |
316 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5466 |
232 |
| SK Hynix Inc. | 12582 |
182 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1207 |
81 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
42 |
| Applied Materials, Inc. | 20467 |
38 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2493 |
34 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
33 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
24 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11855 |
21 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
15 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1678 |
13 |
| eMemory Technology Inc. | 410 |
9 |
| Winbond Electronics Corp. | 1443 |
9 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
9 |
| United Microelectronics Corp. | 4502 |
8 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
8 |
| Autres propriétaires | 117 |