- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/20 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 51/20
Brevets de cette classe: 771
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48539 |
326 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158337 |
138 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5461 |
41 |
| Micron Technology, Inc. | 27709 |
39 |
| SK Hynix Inc. | 12567 |
34 |
| Kioxia Corporation | 10854 |
22 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
17 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1671 |
16 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1464 |
15 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11854 |
10 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3349 |
10 |
| Kepler Computing Inc. | 330 |
9 |
| Tokyo Electron Limited | 13854 |
5 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4686 |
5 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 71 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 62742 |
3 |
| Intel Corporation | 47069 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123867 |
3 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2495 |
3 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11130 |
3 |
| Autres propriétaires | 65 |