- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/00 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 53/00
Brevets de cette classe: 93
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47071 |
18 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153093 |
12 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11649 |
9 |
| Kepler Computing Inc. | 323 |
8 |
| Micron Technology, Inc. | 27238 |
6 |
| Intel Corporation | 46673 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 119637 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 62148 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 12086 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4548 |
2 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11176 |
2 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 80 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
2 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 356 |
2 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1167 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 19938 |
1 |
| Tokyo Electron Limited | 13465 |
1 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 33401 |
1 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 9046 |
1 |
| The Regents of the University of Michigan | 4890 |
1 |
| Autres propriétaires | 13 |