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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 63/00 - Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p. ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM]
Détention brevets de la classe H10B 63/00
Brevets de cette classe: 1968
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48490 |
377 |
| SK Hynix Inc. | 12534 |
210 |
| Micron Technology, Inc. | 27709 |
182 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158156 |
177 |
| International Business Machines Corporation | 62672 |
132 |
| United Microelectronics Corp. | 4498 |
69 |
| Kioxia Corporation | 10840 |
59 |
| TetraMem Inc. | 182 |
45 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11126 |
39 |
| Intel Corporation | 47100 |
25 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 849 |
24 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
20 |
| Winbond Electronics Corp. | 1439 |
20 |
| Xiamen Industrial Technology Research Institute Co., Ltd. | 40 |
17 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2496 |
15 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5442 |
15 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 628 |
14 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6383 |
13 |
| STMicroelectronics International N.V. | 4185 |
13 |
| Hefei Reliance Memory Limited | 128 |
13 |
| Autres propriétaires | 489 |