- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
Détention brevets de la classe H10D 84/83
Brevets de cette classe: 1820
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
2
|
12
|
83
|
280
|
274
|
609
|
508
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
753 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
243 |
| Intel Corporation | 47106 |
141 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11821 |
132 |
| International Business Machines Corporation | 62634 |
99 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
22 |
| Rohm Co., Ltd. | 6826 |
17 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11577 |
17 |
| Texas Instruments Incorporated | 19672 |
16 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5262 |
15 |
| Qualcomm Incorporated | 92196 |
14 |
| IBM United Kingdom Limited | 4079 |
14 |
| Socionext Inc. | 1595 |
13 |
| Renesas Electronics Corporation | 5870 |
12 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 760 |
12 |
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
11 |
| Apple Inc. | 58742 |
10 |
| Applied Materials, Inc. | 20375 |
10 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1732 |
9 |
| Tokyo Electron Limited | 13807 |
8 |
| Autres propriétaires | 252 |