- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/86 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de transistors FET à barrière de Schottky
Détention brevets de la classe H10D 84/86
Brevets de cette classe: 13
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
3
|
2
|
5
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6384 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158337 |
1 |
| Intel Corporation | 47069 |
1 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48539 |
1 |
| Tokyo Electron Limited | 13854 |
1 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 34145 |
1 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5261 |
1 |
| Peking University | 1463 |
1 |
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 908 |
1 |
| NXP USA, Inc. | 4403 |
1 |
| Nanjing Greenchip Semiconductor Co., Ltd. | 30 |
1 |
| Transphorm Technology, Inc. | 138 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |