- Sections
- H - Électricité
- H10N - Dispositifs électriques à l'état solide non prévus ailleurs
- H10N 70/00 - Dispositifs à l’état solide n’ayant pas de barrières de potentiel, spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la production d'oscillations ou à la commutation
Détention brevets de la classe H10N 70/00
Brevets de cette classe: 1923
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
406 |
| International Business Machines Corporation | 62634 |
189 |
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
145 |
| SK Hynix Inc. | 12486 |
136 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
110 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
76 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11123 |
62 |
| Kioxia Corporation | 10815 |
51 |
| TetraMem Inc. | 182 |
39 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 847 |
27 |
| Huazhong University of Science and Technology | 1126 |
22 |
| Winbond Electronics Corp. | 1433 |
22 |
| Infineon Technologies AG | 8402 |
17 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 626 |
17 |
| STMicroelectronics International N.V. | 4157 |
17 |
| Intel Corporation | 47106 |
14 |
| Weebit Nano Ltd | 45 |
14 |
| Applied Materials, Inc. | 20375 |
13 |
| Hefei Reliance Memory Limited | 128 |
13 |
| Tokyo Electron Limited | 13807 |
12 |
| Autres propriétaires | 521 |