- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
Détention brevets de la classe C30B 25/02
Brevets de cette classe: 758
Historique des publications depuis 10 ans
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63
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56
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Applied Materials, Inc. | 20467 |
31 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1307 |
19 |
| Element Six Technologies Limited | 207 |
17 |
| Flosfia Inc. | 241 |
16 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 8968 |
15 |
| Sumco Corporation | 1109 |
15 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16448 |
13 |
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4016 |
13 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
13 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 6120 |
13 |
| Tsinghua University | 6233 |
13 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5200 |
12 |
| Freiberger Compound Materials GmbH | 55 |
12 |
| Resonac Corporation | 3610 |
11 |
| ASM IP Holding B.V. | 2412 |
10 |
| Siltronic AG | 437 |
10 |
| The Regents of the University of California | 20815 |
9 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4734 |
9 |
| Mainstream Engineering Corporation | 157 |
9 |
| The United States of America as represented by the Secretary of the Air Force | 926 |
9 |
| Autres propriétaires | 489 |