- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gazModification du courant des gaz réactifs
Détention brevets de la classe C30B 25/14
Brevets de cette classe: 659
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Applied Materials, Inc. | 20438 |
128 |
| NuFlare Technology, Inc. | 924 |
23 |
| Aixtron SE | 335 |
20 |
| ASM IP Holding B.V. | 2409 |
16 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16396 |
13 |
| Denso Corporation | 25607 |
12 |
| Soitec | 1103 |
11 |
| Resonac Corporation | 3561 |
11 |
| Picosun Oy | 165 |
10 |
| Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | 741 |
10 |
| Zadient Technologies SAS | 39 |
10 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48490 |
9 |
| Tokuyama Corporation | 1482 |
9 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158156 |
8 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 8968 |
8 |
| Panasonic Holdings Corporation | 1772 |
8 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 730 |
7 |
| National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology | 341 |
7 |
| Siltronic AG | 434 |
7 |
| Edwards Semiconductor Solutions LLC | 16 |
7 |
| Autres propriétaires | 325 |