- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
Détention brevets de la classe C30B 25/18
Brevets de cette classe: 1357
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5662 |
56 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1284 |
52 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15495 |
48 |
| NGK Insulators, Ltd. | 4964 |
37 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10912 |
33 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 9047 |
32 |
| Soitec | 1016 |
32 |
| Applied Materials, Inc. | 18658 |
30 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4514 |
27 |
| Element Six Technologies Limited | 193 |
20 |
| Sumco Corporation | 1114 |
19 |
| ASM IP Holding B.V. | 2078 |
18 |
| QROMIS, Inc. | 96 |
18 |
| Tsinghua University | 5931 |
17 |
| Resonac Corporation | 2815 |
17 |
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4034 |
16 |
| Tokuyama Corporation | 1392 |
16 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10432 |
15 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42804 |
14 |
| Kyocera Corporation | 13831 |
14 |
| Autres propriétaires | 826 |