- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
Détention brevets de la classe C30B 25/18
Brevets de cette classe: 1427
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5856 |
59 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1289 |
57 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15967 |
48 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5203 |
39 |
| Applied Materials, Inc. | 19628 |
37 |
| Soitec | 1053 |
33 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 9053 |
32 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10976 |
32 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4662 |
27 |
| Element Six Technologies Limited | 203 |
23 |
| ASM IP Holding B.V. | 2225 |
20 |
| Sumco Corporation | 1112 |
19 |
| QROMIS, Inc. | 97 |
18 |
| Tsinghua University | 6065 |
17 |
| Resonac Corporation | 3098 |
17 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10802 |
16 |
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4005 |
16 |
| Tokuyama Corporation | 1451 |
16 |
| The Regents of the University of California | 20366 |
14 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46560 |
14 |
| Autres propriétaires | 873 |