• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/402 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement interne

Détention brevets de la classe G11C 11/402

Brevets de cette classe: 225

Historique des publications depuis 10 ans

10
12
19
24
27
34
22
19
9
3
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
27165
53
Zeno Semiconductor, Inc.
236
33
Samsung Electronics Co., Ltd.
151485
28
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11608
13
Intel Corporation
46569
8
SK Hynix Inc.
11912
8
Apple Inc.
57166
7
Rambus Inc.
2238
7
Pure Storage, Inc.
2821
6
Changxin Memory Technologies, Inc.
4924
5
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
346
4
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
46613
3
Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd.
659
3
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3056
3
Kepler Computing Inc.
321
3
Mimirip LLC
1398
3
International Business Machines Corporation
61929
2
Tokyo Electron Limited
13380
2
Macronix International Co., Ltd.
2527
2
Atomera Incorporated
247
2
Autres propriétaires 30