- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/223 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
Détention brevets de la classe H01L 21/223
Brevets de cette classe: 357
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42118 |
55 |
Micron Technology, Inc. | 26209 |
18 |
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1233 |
18 |
International Business Machines Corporation | 61023 |
17 |
Applied Materials, Inc. | 18406 |
17 |
Infineon Technologies AG | 8199 |
15 |
Kioxia Corporation | 10272 |
10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 144143 |
9 |
Tokyo Electron Limited | 12540 |
8 |
Intel Corporation | 46699 |
5 |
Infineon Technologies Austria AG | 2130 |
5 |
SK Hynix Inc. | 11222 |
5 |
Sandisk Technologies Inc. | 4824 |
5 |
Lam Research Corporation | 5187 |
5 |
ION Beam Services | 35 |
5 |
Toshiba Corporation | 12286 |
4 |
Mitsubishi Electric Corporation | 45811 |
4 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10837 |
4 |
Boe Technology Group Co., Ltd. | 40613 |
4 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1373 |
4 |
Autres propriétaires | 140 |