• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 21/223 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse

Détention brevets de la classe H01L 21/223

Brevets de cette classe: 357

Historique des publications depuis 10 ans

40
42
50
44
37
20
18
19
19
8
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
42118
55
Micron Technology, Inc.
26209
18
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
1233
18
International Business Machines Corporation
61023
17
Applied Materials, Inc.
18406
17
Infineon Technologies AG
8199
15
Kioxia Corporation
10272
10
Samsung Electronics Co., Ltd.
144143
9
Tokyo Electron Limited
12540
8
Intel Corporation
46699
5
Infineon Technologies Austria AG
2130
5
SK Hynix Inc.
11222
5
Sandisk Technologies Inc.
4824
5
Lam Research Corporation
5187
5
ION Beam Services
35
5
Toshiba Corporation
12286
4
Mitsubishi Electric Corporation
45811
4
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10837
4
Boe Technology Group Co., Ltd.
40613
4
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1373
4
Autres propriétaires 140