- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11597 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H01L 27/11597
Brevets de cette classe: 284
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48539 |
45 |
| Micron Technology, Inc. | 27709 |
37 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5461 |
34 |
| Kioxia Corporation | 10854 |
26 |
| SK Hynix Inc. | 12567 |
22 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
19 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158337 |
18 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1671 |
14 |
| IMEC VZW | 1823 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2495 |
5 |
| Intel Corporation | 47069 |
4 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 62742 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123867 |
3 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1464 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11854 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 20459 |
2 |
| Lam Research Corporation | 5652 |
2 |
| Japan Science and Technology Agency | 1212 |
2 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
2 |
| Autres propriétaires | 31 |