- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/20 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 41/20
Brevets de cette classe: 417
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 11022 |
73 |
| Micron Technology, Inc. | 27867 |
49 |
| Monolithic 3D Inc. | 342 |
49 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3418 |
35 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159298 |
32 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11877 |
28 |
| SK Hynix Inc. | 12717 |
23 |
| Applied Materials, Inc. | 20601 |
15 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49027 |
15 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5505 |
10 |
| Lam Research Corporation | 5709 |
8 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 71 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2487 |
5 |
| Winbond Electronics Corp. | 1454 |
5 |
| Intel NDTM US LLC | 461 |
5 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1223 |
5 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 37 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 62847 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 13956 |
3 |
| United Microelectronics Corp. | 4530 |
3 |
| Autres propriétaires | 41 |