- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 43/20
Brevets de cette classe: 427
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10445 |
91 |
| Monolithic 3D Inc. | 310 |
50 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147787 |
49 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2761 |
47 |
| Micron Technology, Inc. | 26235 |
38 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43628 |
29 |
| SK Hynix Inc. | 11498 |
22 |
| Applied Materials, Inc. | 18932 |
15 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2548 |
10 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
9 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4863 |
8 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11471 |
6 |
| Tokyo Electron Limited | 12979 |
4 |
| Lam Research Corporation | 5311 |
4 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 29 |
4 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1062 |
4 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 60 |
3 |
| United Microelectronics Corp. | 4251 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4408 |
2 |
| Sandisk Technologies LLC | 1442 |
2 |
| Autres propriétaires | 28 |