- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 43/20
Brevets de cette classe: 312
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
1
|
0
|
0
|
7
|
27
|
66
|
88
|
120
|
9
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10128 |
67 |
| Monolithic 3D Inc. | 300 |
44 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 139302 |
39 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2348 |
32 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40644 |
24 |
| SK Hynix Inc. | 10824 |
19 |
| Micron Technology, Inc. | 25845 |
18 |
| Applied Materials, Inc. | 17779 |
13 |
| Sunrise Memory Corporation | 206 |
8 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2552 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11114 |
5 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4948 |
3 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 59 |
3 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 896 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 12127 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4117 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4196 |
2 |
| Sandisk Technologies LLC | 1456 |
2 |
| Besang, Inc. | 16 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
2 |
| Autres propriétaires | 15 |