- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 43/20
Brevets de cette classe: 492
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10521 |
107 |
| Monolithic 3D Inc. | 326 |
55 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151485 |
54 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3056 |
53 |
| Micron Technology, Inc. | 27165 |
52 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46613 |
30 |
| SK Hynix Inc. | 11912 |
25 |
| Applied Materials, Inc. | 19683 |
18 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5271 |
12 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2527 |
10 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
9 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11608 |
6 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1152 |
5 |
| Tokyo Electron Limited | 13380 |
4 |
| Lam Research Corporation | 5437 |
4 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 69 |
4 |
| Winbond Electronics Corp. | 1354 |
4 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 31 |
4 |
| United Microelectronics Corp. | 4394 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4518 |
2 |
| Autres propriétaires | 32 |