- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 43/20
Brevets de cette classe: 538
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10823 |
112 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
60 |
| Micron Technology, Inc. | 27675 |
59 |
| Monolithic 3D Inc. | 337 |
59 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3323 |
59 |
| SK Hynix Inc. | 12506 |
31 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
30 |
| Applied Materials, Inc. | 20406 |
20 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5439 |
13 |
| Sunrise Memory Corporation | 217 |
12 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2495 |
10 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11834 |
6 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1210 |
5 |
| Tokyo Electron Limited | 13824 |
4 |
| Lam Research Corporation | 5642 |
4 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 71 |
4 |
| Winbond Electronics Corp. | 1436 |
4 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 35 |
4 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
4 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
3 |
| Autres propriétaires | 35 |