- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/23 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés
Détention brevets de la classe H10B 43/23
Brevets de cette classe: 31
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
5 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
3 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
3 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 233 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11797 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 20363 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
2 |
| Kioxia Corporation | 10805 |
2 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5432 |
1 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3790 |
1 |
| Monolithic 3D Inc. | 332 |
1 |
| ULVAC, Inc. | 1347 |
1 |
| Sunrise Memory Corporation | 216 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 846 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3301 |
1 |
| Intel NDTM US LLC | 459 |
1 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |