- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23F - Enlèvement non mécanique de matériau métallique des surfacesmoyens pour empêcher la corrosion des matériaux métalliquesmoyens pour empêcher l'entartrage ou les incrustations, en généralprocédés à étapes multiples pour le traitement de surface de matériaux métalliques utilisant au moins un procédé couvert par la classe et au moins un procédé couvert soit par la sous-classe , soit par la sous-classe , soit par la classe
- C23F 1/10 - Compositions de décapage
Détention brevets de la classe C23F 1/10
Brevets de cette classe: 90
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| FUJIFILM Electronic Materials U.S.A., Inc. | 345 |
10 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 38676 |
5 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
5 |
| Central Glass Company, Limited | 1295 |
4 |
| DONGWOO FINE-CHEM Co., Ltd. | 1429 |
3 |
| Queen's University at Kingston | 538 |
3 |
| Soulbrain Co., Ltd. | 286 |
3 |
| University Court of The University of ST Andrews | 303 |
3 |
| Drylyte, S.L. | 45 |
3 |
| FUJIFILM Corporation | 30516 |
2 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 34035 |
2 |
| Element Six Abrasives S.A. | 145 |
2 |
| MacDermid Enthone Inc. | 251 |
2 |
| OCI Company Ltd. | 165 |
2 |
| Steros GPA Innovative, S.L. | 29 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
1 |
| General Electric Company | 13910 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12569 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 20406 |
1 |
| Tokyo Electron Limited | 13824 |
1 |
| Autres propriétaires | 34 |