- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
Détention brevets de la classe C30B 25/12
Brevets de cette classe: 562
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Applied Materials, Inc. | 20764 |
115 |
| Sumco Corporation | 1108 |
26 |
| Siltronic AG | 442 |
25 |
| LPE S.p.A. | 81 |
23 |
| ASM IP Holding B.V. | 2507 |
18 |
| Aixtron SE | 339 |
17 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 734 |
17 |
| NuFlare Technology, Inc. | 932 |
16 |
| Resonac Corporation | 3819 |
13 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49884 |
12 |
| Denso Corporation | 26008 |
10 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 6203 |
8 |
| Veeco Instruments Inc. | 331 |
8 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 160170 |
7 |
| Plasmability, LLC | 22 |
7 |
| Toyota Motor Corporation | 36619 |
6 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1305 |
6 |
| Svagos Technik, Inc. | 12 |
6 |
| MIRISE Technologies Corporation | 436 |
6 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 410 |
5 |
| Autres propriétaires | 211 |