- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 29/08 - Germanium
Détention brevets de la classe C30B 29/08
Brevets de cette classe: 123
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48861 |
10 |
| Applied Materials, Inc. | 20579 |
8 |
| Socpra Sciences et Genie S.E.C. | 215 |
6 |
| Umicore | 773 |
6 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11130 |
4 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 11111 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 13948 |
3 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10305 |
3 |
| Corning Incorporated | 10538 |
3 |
| Carl Zeiss SMT GmbH | 3370 |
3 |
| ASM IP Holding B.V. | 2432 |
3 |
| Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. | 26 |
3 |
| Vrije Universiteit Brussel | 535 |
3 |
| Intel Corporation | 46292 |
2 |
| The Regents of the University of Michigan | 5038 |
2 |
| Ecole Polytechnique | 333 |
2 |
| IMEC VZW | 1831 |
2 |
| LPE S.p.A. | 80 |
2 |
| National Institute of Information and Communications Technology | 671 |
2 |
| University of Houston System | 1130 |
2 |
| Autres propriétaires | 51 |