- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 7/20 - Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p. ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente
Détention brevets de la classe G11C 7/20
Brevets de cette classe: 594
Historique des publications depuis 10 ans
|
36
|
67
|
71
|
32
|
43
|
49
|
48
|
37
|
17
|
10
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
93 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
76 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
43 |
| Rambus Inc. | 2245 |
39 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
30 |
| Kioxia Corporation | 10805 |
20 |
| Qualcomm Incorporated | 91997 |
18 |
| Winbond Electronics Corp. | 1425 |
11 |
| ARM Limited | 5037 |
9 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
9 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5432 |
8 |
| Memory Technologies LLC | 75 |
8 |
| VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd. | 287 |
8 |
| Mimirip LLC | 1375 |
8 |
| Integrated Silicon Solutions, (Cayman) Inc. | 221 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 62621 |
6 |
| Altera Corporation | 2473 |
6 |
| Silicon Motion, Inc. | 1172 |
6 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 734 |
6 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
6 |
| Autres propriétaires | 177 |