- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/115 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
Détention brevets de la classe H01L 27/115
Brevets de cette classe: 4664
Historique des publications depuis 10 ans
|
1019
|
501
|
220
|
154
|
160
|
114
|
52
|
26
|
7
|
0
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138729 |
507 |
| Kioxia Corporation | 10120 |
423 |
| Micron Technology, Inc. | 25791 |
406 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4945 |
314 |
| SK Hynix Inc. | 10784 |
279 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11080 |
224 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2555 |
212 |
| Sandisk Technologies LLC | 1456 |
150 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40583 |
101 |
| Renesas Electronics Corporation | 6153 |
85 |
| Intel Corporation | 46119 |
75 |
| Spansion LLC | 366 |
69 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 686 |
69 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2323 |
60 |
| Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 27473 |
57 |
| Mimirip LLC | 1468 |
45 |
| Applied Materials, Inc. | 17720 |
44 |
| Tokyo Electron Limited | 12111 |
41 |
| United Microelectronics Corp. | 4102 |
39 |
| Infineon Technologies LLC | 569 |
38 |
| Autres propriétaires | 1426 |