- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/11524
Brevets de cette classe: 1844
Historique des publications depuis 10 ans
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202
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206
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150
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87
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0
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27238 |
297 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5344 |
296 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153093 |
181 |
| Kioxia Corporation | 10704 |
171 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3124 |
160 |
| SK Hynix Inc. | 12086 |
80 |
| Sandisk Technologies LLC | 1449 |
80 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47071 |
64 |
| eMemory Technology Inc. | 401 |
40 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2520 |
35 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1167 |
30 |
| Applied Materials, Inc. | 19938 |
28 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 711 |
28 |
| Intel NDTM US LLC | 452 |
26 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
22 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 960 |
19 |
| Lam Research Corporation | 5500 |
13 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1739 |
12 |
| Winbond Electronics Corp. | 1383 |
11 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
11 |
| Autres propriétaires | 240 |