- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/11524
Brevets de cette classe: 1833
Historique des publications depuis 10 ans
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202
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147
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82
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0
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27384 |
294 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5400 |
294 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 155224 |
178 |
| Kioxia Corporation | 10727 |
170 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3225 |
159 |
| SK Hynix Inc. | 12267 |
80 |
| Sandisk Technologies LLC | 1426 |
80 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47734 |
64 |
| eMemory Technology Inc. | 405 |
40 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2511 |
35 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1193 |
30 |
| Applied Materials, Inc. | 20145 |
28 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 727 |
28 |
| Intel NDTM US LLC | 455 |
26 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
22 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 961 |
19 |
| Lam Research Corporation | 5560 |
13 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1739 |
12 |
| Winbond Electronics Corp. | 1399 |
11 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
11 |
| Autres propriétaires | 239 |