- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H01L 27/11556
Brevets de cette classe: 3205
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Micron Technology, Inc. | 26085 |
592 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 142124 |
504 |
Sandisk Technologies Inc. | 4809 |
497 |
Kioxia Corporation | 10249 |
434 |
SK Hynix Inc. | 11072 |
263 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2501 |
227 |
Sandisk Technologies LLC | 1452 |
101 |
Macronix International Co., Ltd. | 2574 |
61 |
Lodestar Licensing Group LLC | 951 |
59 |
Applied Materials, Inc. | 18322 |
57 |
Intel NDTM US LLC | 424 |
36 |
Tokyo Electron Limited | 12340 |
30 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41550 |
27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11245 |
25 |
Lam Research Corporation | 5117 |
25 |
Toshiba Memory Corporation | 237 |
19 |
Mimirip LLC | 1453 |
14 |
Soulbrain Co., Ltd. | 236 |
11 |
ASM IP Holding B.V. | 1985 |
10 |
Monolithic 3D Inc. | 307 |
10 |
Autres propriétaires | 203 |