• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11556

Brevets de cette classe: 2875

Historique des publications depuis 10 ans

303
315
462
624
659
282
144
29
0
1
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
27384
528
Sandisk Technologies Inc.
5400
452
Samsung Electronics Co., Ltd.
155224
426
Kioxia Corporation
10727
393
SK Hynix Inc.
12267
234
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3225
199
Sandisk Technologies LLC
1426
100
Macronix International Co., Ltd.
2511
58
Applied Materials, Inc.
20145
55
Lodestar Licensing Group LLC
1193
54
Intel NDTM US LLC
455
31
Tokyo Electron Limited
13617
28
Lam Research Corporation
5560
25
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11705
24
Toshiba Memory Corporation
236
19
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
47734
17
Mimirip LLC
1382
14
Soulbrain Co., Ltd.
281
11
ASM IP Holding B.V.
2319
10
Monolithic 3D Inc.
331
10
Autres propriétaires 187