• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11556

Brevets de cette classe: 3205

Historique des publications depuis 10 ans

143
303
315
462
624
666
376
336
62
0
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
26085
592
Samsung Electronics Co., Ltd.
142124
504
Sandisk Technologies Inc.
4809
497
Kioxia Corporation
10249
434
SK Hynix Inc.
11072
263
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
2501
227
Sandisk Technologies LLC
1452
101
Macronix International Co., Ltd.
2574
61
Lodestar Licensing Group LLC
951
59
Applied Materials, Inc.
18322
57
Intel NDTM US LLC
424
36
Tokyo Electron Limited
12340
30
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
41550
27
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11245
25
Lam Research Corporation
5117
25
Toshiba Memory Corporation
237
19
Mimirip LLC
1453
14
Soulbrain Co., Ltd.
236
11
ASM IP Holding B.V.
1985
10
Monolithic 3D Inc.
307
10
Autres propriétaires 203