- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H01L 27/11556
Brevets de cette classe: 2875
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27384 |
528 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5400 |
452 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 155224 |
426 |
| Kioxia Corporation | 10727 |
393 |
| SK Hynix Inc. | 12267 |
234 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3225 |
199 |
| Sandisk Technologies LLC | 1426 |
100 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2511 |
58 |
| Applied Materials, Inc. | 20145 |
55 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1193 |
54 |
| Intel NDTM US LLC | 455 |
31 |
| Tokyo Electron Limited | 13617 |
28 |
| Lam Research Corporation | 5560 |
25 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11705 |
24 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
19 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47734 |
17 |
| Mimirip LLC | 1382 |
14 |
| Soulbrain Co., Ltd. | 281 |
11 |
| ASM IP Holding B.V. | 2319 |
10 |
| Monolithic 3D Inc. | 331 |
10 |
| Autres propriétaires | 187 |