• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11582

Brevets de cette classe: 5117

Historique des publications depuis 10 ans

644
614
850
1130
1053
474
235
41
1
4
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
155224
960
Kioxia Corporation
10727
868
Micron Technology, Inc.
27384
675
Sandisk Technologies Inc.
5400
600
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3225
460
SK Hynix Inc.
12267
451
Sandisk Technologies LLC
1426
174
Macronix International Co., Ltd.
2511
151
Applied Materials, Inc.
20145
83
Lodestar Licensing Group LLC
1193
66
Sunrise Memory Corporation
215
58
Tokyo Electron Limited
13617
48
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
47734
34
Intel NDTM US LLC
455
33
Mimirip LLC
1382
30
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11705
28
Lam Research Corporation
5560
26
Toshiba Memory Corporation
236
25
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1575
24
Monolithic 3D Inc.
331
18
Autres propriétaires 305