• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11582

Brevets de cette classe: 5072

Historique des publications depuis 10 ans

644
614
850
1130
1052
472
204
31
1
4
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
158842
954
Kioxia Corporation
10948
858
Micron Technology, Inc.
27726
659
Sandisk Technologies Inc.
5480
599
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3389
453
SK Hynix Inc.
12640
449
Sandisk Technologies LLC
1422
174
Macronix International Co., Ltd.
2489
151
Applied Materials, Inc.
20552
82
Lodestar Licensing Group LLC
1218
66
Sunrise Memory Corporation
218
58
Tokyo Electron Limited
13920
48
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48760
34
Intel NDTM US LLC
459
32
Mimirip LLC
1373
30
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11890
28
Lam Research Corporation
5689
26
Toshiba Memory Corporation
236
25
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1688
23
Monolithic 3D Inc.
341
18
Autres propriétaires 305