• Sections
  • H - Électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11582

Brevets de cette classe: 5168

Historique des publications depuis 10 ans

644
614
850
1130
1053
481
267
52
1
2
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
152716
973
Kioxia Corporation
10709
875
Micron Technology, Inc.
27243
692
Sandisk Technologies Inc.
5332
603
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3111
464
SK Hynix Inc.
12052
457
Sandisk Technologies LLC
1450
174
Macronix International Co., Ltd.
2521
150
Applied Materials, Inc.
19887
83
Lodestar Licensing Group LLC
1164
66
Sunrise Memory Corporation
214
59
Tokyo Electron Limited
13463
49
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
46952
34
Intel NDTM US LLC
452
33
Mimirip LLC
1393
30
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11644
28
Lam Research Corporation
5494
26
Toshiba Memory Corporation
236
25
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1511
24
Monolithic 3D Inc.
328
18
Autres propriétaires 305