- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/10 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 41/10
Brevets de cette classe: 1474
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 154120 |
334 |
| Micron Technology, Inc. | 27310 |
194 |
| SK Hynix Inc. | 12171 |
183 |
| Kioxia Corporation | 10709 |
172 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5375 |
147 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3172 |
116 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47419 |
87 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1182 |
48 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2518 |
31 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2697 |
18 |
| Monolithic 3D Inc. | 331 |
15 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11688 |
14 |
| Winbond Electronics Corp. | 1390 |
10 |
| United Microelectronics Corp. | 4452 |
9 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 722 |
6 |
| eMemory Technology Inc. | 401 |
5 |
| Lam Research Corporation | 5543 |
4 |
| Sandisk Technologies LLC | 1426 |
4 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 69 |
4 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 219 |
4 |
| Autres propriétaires | 69 |