- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/10 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 41/10
Brevets de cette classe: 1608
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158442 |
356 |
| Micron Technology, Inc. | 27636 |
220 |
| SK Hynix Inc. | 12582 |
207 |
| Kioxia Corporation | 10856 |
188 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5466 |
161 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3357 |
127 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
92 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1207 |
48 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2493 |
31 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
18 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11855 |
15 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
15 |
| Winbond Electronics Corp. | 1443 |
11 |
| United Microelectronics Corp. | 4502 |
9 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 741 |
6 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 234 |
6 |
| eMemory Technology Inc. | 410 |
5 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
5 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
5 |
| Lam Research Corporation | 5655 |
4 |
| Autres propriétaires | 79 |